雖然現在臺積電已經量產7納米，明年將向6納米過渡，兩至三年后將來到3納米級別，但內存的制造半導體制程工藝進入20納米之后，制造就難度越來越高，繼續提升制程工藝費效比越來越低，內存芯片廠商對工藝的定義已經不是具體的線寬，而是希望通過兩代或三代1Xnm節點去升級DRAM，由此稱為1Xnm、1Ynm、1Znm。大體上1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級別。

而通過美光的DRAM技術路線圖顯示，美光將繼續擴展多個10納米級節點，除了已經投產的第一代10納米（1X）和第二代10納米（1Y），目前開始量產第三代10納米（1Z），首批使用1Znm制程來生產的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。

接著，美光還將擴展三個10納米級別節點：1 α，1 β和1 γ（注意，是希臘字母）

目前，美光公司正在加大其用于制造各種產品的第二代10nm級制造工藝（即1Y nm），該工藝用于制造該公司的各種產品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲器件。

而美光的下一代1Z nm正準備進入量產階段，首批使用1Znm制程來生產的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。然后用于生產16 Gb LPDDR5存儲器件以及DDR5存儲器件。

1Z nm節點之后，美光計劃開始使用其1αnm制造技術，接著是1βnm制造工藝，然后是1γnm技術的可行架構的驗證。