科普下什么是1X納米 1Y納米 1Z納米

雖然現在臺積電已經量產7納米,明年將向6納米過渡,兩至三年后將來到3納米級別,但內存的制造半導體制程工藝進入20納米之后,制造就難度越來越高,繼續提升制程工藝費效比越來越低,內存芯片廠商對工藝的定義已經不是具體的線寬,而是希望通過兩代或三代1Xnm節點去升級DRAM,由此稱為1Xnm、1Ynm、1Znm。大體上1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm,1Znm工藝相當于12-14nm級別。

而通過美光的DRAM技術路線圖顯示,美光將繼續擴展多個10納米級節點,除了已經投產的第一代10納米(1X)和第二代10納米(1Y),目前開始量產第三代10納米(1Z),首批使用1Znm制程來生產的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。

接著,美光還將擴展三個10納米級別節點:1 α,1 β和1 γ(注意,是希臘字母)

目前,美光公司正在加大其用于制造各種產品的第二代10nm級制造工藝(即1Y nm),該工藝用于制造該公司的各種產品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲器件。

而美光的下一代1Z nm正準備進入量產階段,首批使用1Znm制程來生產的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。然后用于生產16 Gb LPDDR5存儲器件以及DDR5存儲器件。

1Z nm節點之后,美光計劃開始使用其1αnm制造技術,接著是1βnm制造工藝,然后是1γnm技術的可行架構的驗證。

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